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阿尔帕西诺:我推掉《星战》成就了哈里森福特
发布时间:2025-07-04 06:40:53  来源:金桥企业管理有限公司

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推掉(e)二碲化钼器件的输出特性曲线。星战(b)二碲化钼器件温度相关的电学测量。

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图三、哈里森二碲化钼单层的形貌表征(a)各类样品的照片:1cm×1cm的蓝宝石衬底、生长了二碲化钼单层的蓝宝石、被转移的二碲化钼单层覆盖的SiO2/Si衬底。图二、福特在蓝宝石上生长厘米级二碲化钼单层(a)不同前驱体溶液中生长的二碲化钼的单层覆盖率。帕西(d)二碲化钼单层的生长时间相关的光学图像。

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由此制备的二碲化钼单层具有0.19纳米的表面粗糙度和1.5×10−5S/m左右的平均导电率,哈里森表明二碲化钼单层展现出了相当的平滑度和均一性。

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